マイクロパイプをEpiですくなくした

シリコンカーバイドウエハー

III-Vナイトライド

エピ用の基板

パラメータ

値

ウエハー径

50 mm

オリエンテーション

(0001) on- and off-axis

基板

6H and 4H

マイクロパイプ密度

<10 cm^-2

N_d – N_a 濃度

10¹⁸ – 10¹⁹ cm^-3

表面

as grown 

特性
シリコンカーバイドエピウエハーはSiC基板上に薄膜のSiCホモエピ層を成長することで、基板表面上のマイクロパイプの密度を大幅に下げたものです。　 1cm角の部分に１０個以下程度のマイクロパイプ数量まで数を減少することができます。　　通常この場合ウエハーセンターでは、cm角あたり５個以下程度のマイクロパイプ数になるでしょう。 SiC エピウエハーの一般的概要

用途

• SiCエピウエハーの基板上には次のシリコンカーバイドのエピプロセスを使用する元基板として使用することができます。　
• SiCエピウエハーの基板上には III-V ナイトライドのエピ成長が可能です。

その他インフォメーション
p- もしくは n-タイプの高いdoping率（ 10²⁰cm^-3程度まで） の6H-SiC、もしくは 4H-SiCのエピ層も成長するころも可能です。　　これらのprocessはユーザーにより供給されたSiC基板に適応することもかのうです。

ホーム | 製品

Copyright (c) 1997-2005 by TDI, Inc.