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窒化インジウム エピ基板 |
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センサー、高周波用途用の 窒化インジウム層
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InN/GaN/Sapphireサンプルの断面構造
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InN epitaxy (窒化インジウムのエピ）サンプル： 窒化インジウムの層をサファイア基板上に成長したもののsample出荷可能 お問い合わせ、その他ご要望等ございましたら、お気軽に contact TDI までご連絡ください。 ご提案、フィードバックをお待ちしております。
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材料のパラメータ
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パラメータ
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値
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InN膜厚 (ミクロン） |
0.1 – 0.5 |
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基板 |
C-plane サファイア基板
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直径 （インチ）
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2 |
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InNの表面 |
As grown |
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InNの導電性
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n-タイプ
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XRD ω-scan (0.02) peak FWHM, arcsec
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700±150 |
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n-GaN層の厚み (ミクロン）
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3-7 |
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2-inch InN-epi
X-ray diffraction map (FWHM of
omega-scan (00.2) rocking curve)
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(a) |
(b) | ||
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XRD
omega-scan rocking curves for InN (00.2) and (10.2) reflections (a) and
(b), respectively. | |||
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XRD spectrum of InN/GaN on
sapphire wafer, | |||
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