· 製造、開発、そして基礎研究にすぐれた材料

· GaNN系の青/緑/白/UV LEDに適したあたらしいタイプの基板

· III-V nitride epitaxial growth by MBE, MOCVDそしてCVDによるIII-V窒化物エピ成長を行なう場合の基礎基板.

· 厚膜 GaNはLaser Lift Offを使用した高輝度 LEDの製造に使用可能

ドープなしGaN 特性

*テンプレートタイプ*	5	10	15	20	30	40
GaN平均厚み　(ミクロン）	3-7	7-12	12-17	17-25	25-35	35-45
FWHM of x-ray RC omega-scan (00.2), arcsec	<400	<350	<320	<300	<270	<250
転移密度　（ cm^-2）	(2-7)E8		2E8 – 5E7
電子移動度　（ cm²/V sec）	>500
ドーピング	Undoped
濃度 Nd-Na　（ cm^-³ ）*	<9E16
GaN 導電性	n-type
厚み標準偏差	<10%
サファイア基板	c-plane, single side polished **
直径　（インチ）	2***
GaN表面	As grown, typical Rms<1nm
GaNオリエンテーション	(0001)

n-タイプGaN, Siドープした特性

*テンプレートタイプ*	5	10	15	20
GaN平均厚み　(ミクロン）	3-7	7-12	12-17	17-25
FWHM of x-ray RC omega-scan (0002), arcsec	<400	<350	<320	<300
転移密度　（ cm^-2）	(2-7)E8		2E8 – 5E7
ドーピング	Si, doping profile see below
濃度 Nd-Na　（ cm^-³ ）*	(1-3)E18
GaN 導電性	n-type
厚み標準偏差	<10%
サファイア基板	c-plane, single side polished **
直径　（インチ）	2***
GaN表面	As grown, typical Rms<1nm
GaNオリエンテーション	(0001)

n-GaNテンプレートでは Si-ドーピングの内容は用途によって変更、調節が可能です。. Siドーピングの参考例を下記に.

GaN-based LEDs	GaN系高輝度LEDs	Laser Lift Offを使用した GaN系高輝度LEDs
	用途

p-タイプGaN, Mgドープした特性

*Template type*	5	10
GaN平均厚み　(ミクロン）	2-5	5-10
FWHM of x-ray RC omega-scan (0002), arcsec	<450	<400
ドーピング	Mg	Mg
電子移動度　（ cm²/V sec）	Option 1: (1-9)E17 Option 2: (1-6)E18
GaN 導電性	p-type*
厚み標準偏差	<10%
サファイア基板	c-plane, single side polished **
直径　（インチ）	2***
GaN表面	As grown, typical Rms<1nm
GaNオリエンテーション	(0001)
処理	As grown or annealed

i-タイプGaN, 高抵抗値, Znコンペンセーション特性

*Template type*	5	10
GaN平均厚み　(ミクロン）	2-5	5-10
FWHM of x-ray RC omega-scan (0002), arcsec	<450	<400
ドーピング	Zn	Zn
抵抗値　（ Ohm cm (300 K)）	>1E5
厚み標準偏差	<10%
サファイア基板	c-plane, single side polished **
直径　（インチ）	2***
GaN表面	As grown, typical Rms<1nm
GaNオリエンテーション	(0001)

* CV meterで測定したもの

** 両面研磨したサファイアに成長したもの; on R-plane と A-plane サファイア基板が可能

*** 3-インチと 4インチの直径が可能

リサーチグレードのテンプレート基板は場合によってはお得な価格での購入が可能です。

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