窒化ガリウムテンプレート（SiC基板）

III-V ナイトライド

エピタキシャル

工程用基板

パラメータ

値

GaN厚　(ミクロン）

0.2-0.6

基板

(0001) on axis 6H-SiC または 4H-SiC

直径　(インチ）

2

GaN表面

As grown

FWHM of X-ray w-scan rocking curve, arcsec

< 250

濃度 N_d – N_a cm^-3

10¹⁷ – 10¹⁸

用途

• GaNエピウエハーはMBE, MOCVD, CVDで.III-Vナイトライドエピ成長する基礎基板として最適です。
• バッファー層は必要ありません。 
• GaN エピウエハーは GaNホモエピタキシャル成長、またデバイス製造に最適な基板です。

技術
GaNエピウエハー（テンプレート）は(0001）Si face on -axis 6H-SiCもしくは4H-SiC基板上に薄いドープ無しGaN層をHVPE （Hydride Vapor Phase Epitaxy）法により成長したものです。

その他

GaN層とSiC基板は電気的に導電性の材料です。　シリコンカーバイドはGaNのデバイスから非常に熱を効果的に放熱し、高出力のGaNデバイスにとって重要な役割をもちます。GaN/SiCウエハーはクリービングにより鏡面を呈しナイトライド系レーザーダイオードに使用することも可能です。　 

GaN層はお客様のSiC基板の上にも成長可能です。

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