窒化アルミテンプレート(サファイア基板） 

 

 

III-Vナイトライドエピタキシャルと

高周波用途に適した

窒化アルミテンプレート基板

 

 

 

AlN/Sapphireテンプレートの構造断面図

 

AlN/サファイア基板特性

テンプレートタイプ

0.5

2*

5*

AlN厚　(ミクロン）

0.2 - 1.0

1 - 3

3 - 7

基板

c-plane サファイア

直径　(インチ）

2

AlN表面

As grown

電気導電性

絶縁体

光学透明度

UV 透明

* パイロットでの製造

 

AlNテンプレート基板の利点

·         AlN単体面からの成長が可能

·         Nucleation工程（前処理工程)が必要ない（バッファー層がいらない）

·         デバイス構造での転移密度を下げることができる

·        デバイスの特性改良

·         現状の製造装置でエピの製造効率UP

·         スループットとイールドUPでエピコストの削減

·         メインテナンスコストの削減

 

Contact TDI

 

    Optical transmission spectra measured for AlN/Sapphire template grown by HVPE at TDI

 

 

ホーム | 製品

 

Copyright (c) 1997-2005 by TDI, Inc.