厚膜クラックフリーAlN on SiCテンプレート

用途: 下記用途への半絶縁基板

·        高出力 AlGaN/GaN系の High Electron Mobility Transistors ( HEMT)

·        高出力青色、紫外LED、またはﾚｰｻﾞーダイオード

　　　　　AlN/SiCテンプレート基板の断面図

特性：

Ø      高い電気抵抗とすぐれた熱導電性

Ø     GaNそしてAlGaN層とのすぐれた格子/熱伝導値のマッチング

Ø      デバイス構造におけるすくない不良密度

Ø      信頼のできる絶縁性と低漏れ電流を可能にする十分なAlNの厚み

Ø      半絶縁性SIC基板よりも非常に低価格

Ø      最終的なHEMTデバイスとして評価中。良好な結果を低価格で提供できることを実証中。

　壁開エッジのSEM写真

パラメータ

値

基板

基板材質

4H-SiC もしくは 6H-SiC

サイズ　(インチ）

2 もしくは 3

電気導電性

n-タイプ

表面オリエンテーション

(0001) Si face on-axis

AlN層

厚み　(ミクロン）

0.2-10

10-20

表面

As grown

Polished or as grown

表面粗さ　(nm）

<0.5 以下：　研磨したAlN表面

(measured by AFM 5x5 microns scan)

電気抵抗　（Ohm cm）

>1E9 (300K)

>1E7 (500K)

構造パラメータ

エピウエハのそり　(ミクロン）

<40

成長技術

ストレスフリーHVPE法

リサーチグレードのテンプレート基板は場合によってはお得な価格での購入が可能です。

 Contact TDI に詳細をお問い合わせください。　

1. O. Kovalenkov et al., Thick AlN layers grown by HVPE, J. Cryst. Growth 281 (2005) 87-92.

X-ray w-scan rocking curve map for 2-inch AlN/SiC epi wafer with 20 mm thick crack free AlN layer grown on electrically conducting 6H-SiC substrate

.  Average = 379 arcsec

エッチされたAlNのSEM写真

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