窒化アルミガリウムテンプレート（サファイア基板） 

UVオプトエレクトロニクスデバイス

用途に最適の基板

AlGaN/Sapphireテンプレートの断面構造図

テンプレートタイプ

30

70

AlGaN 成分　（mol.%）

5% - 60%

60% - 85%

AlGaN層の厚み　(ミクロン）, microns

0.2-0.8

0.2-0.8

電気導電性

<30 mol.%の

場合n-タイプ

絶縁体

基板

c-plane サファイア

直径　(インチ）

2 もしくは 3

AlGaN表面

As grown

光学的透明度

UV透過度はAl成分の％に よる

AlGaNテンプレートを使用する利点

·        AlGaN単体面からの成長が可能

·         Nucleation工程（前処理工程)が必要ない（バッファー層がいらない）

·        デバイス構造での転移密度を下げることができる

·        デバイスの特性改良

·         現状の製造装置でエピの製造効率UP

·         スループットとイールドUPでエピコストの削減

·         メインテナンスコストの削減

·        

リサーチグレードのテンプレート基板は場合によってはお得な価格での購入が可能です。 Contact TDI に詳細をお問い合わせください。

    Optical transmission spectra measured for AlGaN, GaN and AlN

templates grown by HVPE at TDI

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