ニュースリリース
August 22, 2005
August 15, 2005
AlGaN/GaN HEMTs 用半絶縁基板を発表
November 29, 2004 UV半導体発光体用の特別なAlGaN基板を紹介
October 26, 2004 6インチWAFER上のGaNエピを達成
September 12, 2003 1CM角のSiCダイオードチップをデモ
February 25, 2003 GaNデバイス用のあたらしい半絶縁性の基板をリリース
October 21, 2002 厚膜P-タイプGaN基板の製造成功とサンプル出荷を開始
July 19, 2002 GaN製造Silver Spring, Marylandにある32,000Sq.Ftの新工場へ拡張
October 16, 2001 半導体のブレークスルーとなる35mmのツルーバルク窒化ガリウム基板の作成を達成
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