ニュースリリース


 

August 22, 2005

窒化インジウムのエピ層とナノ構造をデモ

 

August 15, 2005

AlGaN/GaN HEMTs 用半絶縁基板を発表 

 

November 29, 2004
UV半導体発光体用の特別なAlGaN基板を紹介

October 26, 2004
6インチWAFER上のGaNエピを達成 

September 12, 2003
1CM角のSiCダイオードチップをデモ

February 25, 2003
GaNデバイス用のあたらしい半絶縁性の基板をリリース

October 21, 2002
厚膜P-タイプGaN基板の製造成功とサンプル出荷を開始

July 19, 2002
GaN製造Silver Spring, Marylandにある32,000Sq.Ftの新工場へ拡張  

October 16, 2001 
半導体のブレークスルーとなる35mmのツルーバルク窒化ガリウム基板の作成を達成

 


 

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