バルク窒化ガリウム（Bulk GaN） - デバイス製造のための先端材料

世界最初の窒化ガリウムのツルーバルク基板

TDIからの最初の窒化ガリウムのツルーバルク結晶の発表

これはＧａＮ基板を製造技術を開発するＴＤＩのプログラムの中での ブレークスルー技術となるもの。 このファブリケーション　プロセスは次の工程のとうり：

工程　１：:
GaNシード基板上に

窒化バルクブールを成長

工程　２：
成長したブールをワエハーにスライス
（直径35mmのGaNブールを

ダイアモンドのワイアーソーでスライス）

工程　３：
GaNウエハーの研磨

LED fabricated on TDIのバルクGaN基板上に作成されたLED。 一方の電極はLED構造の上部、もう一つの電極は導電性のGaN基板に接続.

バルクの窒化ガリウム基板はまだ商業ベースでは出荷されておりません。　詳細は下記までご連絡ください。 contact TDI

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