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窒化ガリウムバルク結晶

 


 

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最新ニュース

サファイア上窒化インジウム(InN)サンプル出荷開始

 

窒化インジウムのエピおよびナノ構造のデモンストレーション

 

AlGaN/GaN HEMTS用の半絶縁基板

導電性のSIC基板上に10-20ミクロンの AlN層を成長

 

45 ミクロン厚の品質向上したGaN層を成長

サファイア上のGaN: 青色LED製造用の特別な基板

 


TDI (Technologies and Devices International, Inc.) はIII-V窒素、半導体の材料、シリコンカーバイドを 使い、電子の部品を発明、製造、市場に販売しています。 TDIはバラエティのある、サファイアやカーバイド、窒素ガリウム、 窒素アルミ、窒素アルミガリウムなどの商品を取り扱っています。TDIはこれらのプロダクトを世界100以上のお客様に 提供しています。                       

TDIは多岐にわたる短波長オプトエレクロニクスやハイパワー半導体エレクトロニクスのデバイスを開発し、 エピ構造およびクリスタルバルクを発明しています。

 


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